Disco Duro SSD Samsung 990 PRO 4TB Samsung V NAND TLC NAND PCIe Gen 4 x4 NVMe M.2
Sobre este producto
🚀 Velocidad sin límites: Disfruta de rendimiento ultrarrápido con velocidades de lectura de hasta 7,450MB/s y escritura de hasta 6,900MB/s, ideal para gaming extremo, edición de video en 4K y cargas de trabajo intensivas.
💾 Almacenamiento masivo y confiabilidad premium: Con 4TB de capacidad, ofrece el equilibrio perfecto entre almacenamiento y rendimiento, garantizando fluidez y eficiencia en todas tus tareas.
🔥 Rendimiento inteligente: Equipado con tecnología Samsung V-NAND TLC y un potente controlador optimizado, brinda resistencia y durabilidad excepcionales con hasta 2,400 TBW.
🛡️ Eficiencia térmica avanzada: Su diseño optimizado minimiza el consumo energético, y su eficiente gestión térmica evita sobrecalentamientos, garantizando estabilidad incluso en uso prolongado.
⚡ Respuesta instantánea: Experimenta cargas más rápidas, multitarea sin interrupciones y menor latencia, gracias a su impresionante rendimiento de hasta 1,600,000 IOPS en lectura aleatoria.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Capacidad | 4TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Formato | M.2 2280 M Key |
| Controlador | Samsung |
| Arquitectura | Samsung V-NAND TLC NAND |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,600,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad (TBW) | 2,400 TBW |
| Consumo en reposo | 55 mW |
| Consumo de energía (Lectura/Escritura) | 8.6 Watts |
| MTBF | 1,500,000 horas |
Original: $1,309.99
-65%$1,309.99
$458.50Información del producto
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Envío y devoluciones
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Description
Sobre este producto
🚀 Velocidad sin límites: Disfruta de rendimiento ultrarrápido con velocidades de lectura de hasta 7,450MB/s y escritura de hasta 6,900MB/s, ideal para gaming extremo, edición de video en 4K y cargas de trabajo intensivas.
💾 Almacenamiento masivo y confiabilidad premium: Con 4TB de capacidad, ofrece el equilibrio perfecto entre almacenamiento y rendimiento, garantizando fluidez y eficiencia en todas tus tareas.
🔥 Rendimiento inteligente: Equipado con tecnología Samsung V-NAND TLC y un potente controlador optimizado, brinda resistencia y durabilidad excepcionales con hasta 2,400 TBW.
🛡️ Eficiencia térmica avanzada: Su diseño optimizado minimiza el consumo energético, y su eficiente gestión térmica evita sobrecalentamientos, garantizando estabilidad incluso en uso prolongado.
⚡ Respuesta instantánea: Experimenta cargas más rápidas, multitarea sin interrupciones y menor latencia, gracias a su impresionante rendimiento de hasta 1,600,000 IOPS en lectura aleatoria.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Capacidad | 4TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Formato | M.2 2280 M Key |
| Controlador | Samsung |
| Arquitectura | Samsung V-NAND TLC NAND |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,600,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad (TBW) | 2,400 TBW |
| Consumo en reposo | 55 mW |
| Consumo de energía (Lectura/Escritura) | 8.6 Watts |
| MTBF | 1,500,000 horas |
