Disco Duro SSD Samsung 990 PRO 2TB V NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4 x4 NVMe M.2 con Heatsink
Sobre este producto
🚀 Rendimiento extremo para gaming y cargas intensivas. El Samsung 990 PRO 2TB con disipador ofrece hasta 7,450MB/s en lectura y 6,900MB/s en escritura, mejorando los tiempos de carga y la velocidad de transferencia de datos.
💾 Equipado con tecnología Samsung V-NAND 3-bit MLC, ofrece durabilidad y estabilidad para gaming, edición de video y cargas pesadas.
⚡ Disipador térmico integrado que mantiene temperaturas óptimas, previniendo sobrecalentamiento y pérdida de rendimiento en sesiones prolongadas.
🔋 Optimización energética con un consumo de solo 0.055W en estado inactivo, ideal para laptops y estaciones de trabajo de alto rendimiento.
💪 Fiabilidad y resistencia de 1,200 TBW y 1,500,000 horas MTBF, garantizando almacenamiento seguro a largo plazo para usuarios exigentes.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P2T0CW |
| Capacidad | 2TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| Controlador | Samsung Pascal |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad | 1,200 TBW |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Disipador térmico | Sí, integrado |
| Consumo energético (Idle) | 0.055W |
| Consumo energético (R/W) | 8.5W |
| Resistencia a golpes | 1,500G, 0.5ms |
Información del producto
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Envío y devoluciones
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Description
Sobre este producto
🚀 Rendimiento extremo para gaming y cargas intensivas. El Samsung 990 PRO 2TB con disipador ofrece hasta 7,450MB/s en lectura y 6,900MB/s en escritura, mejorando los tiempos de carga y la velocidad de transferencia de datos.
💾 Equipado con tecnología Samsung V-NAND 3-bit MLC, ofrece durabilidad y estabilidad para gaming, edición de video y cargas pesadas.
⚡ Disipador térmico integrado que mantiene temperaturas óptimas, previniendo sobrecalentamiento y pérdida de rendimiento en sesiones prolongadas.
🔋 Optimización energética con un consumo de solo 0.055W en estado inactivo, ideal para laptops y estaciones de trabajo de alto rendimiento.
💪 Fiabilidad y resistencia de 1,200 TBW y 1,500,000 horas MTBF, garantizando almacenamiento seguro a largo plazo para usuarios exigentes.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P2T0CW |
| Capacidad | 2TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| Controlador | Samsung Pascal |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad | 1,200 TBW |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Disipador térmico | Sí, integrado |
| Consumo energético (Idle) | 0.055W |
| Consumo energético (R/W) | 8.5W |
| Resistencia a golpes | 1,500G, 0.5ms |
