Disco Duro SSD Samsung 990 PRO 1TB V NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4 x4 NVMe M.2
Sobre este producto
⚡ Rendimiento extremo con tecnología Samsung: El Samsung 990 PRO 1TB ofrece velocidades de lectura de hasta 7,450MB/s y escritura de hasta 6,900MB/s, proporcionando tiempos de carga ultrarrápidos en gaming, edición de video y aplicaciones profesionales.
💾 Arquitectura Samsung V-NAND 3-bit MLC: Su diseño innovador optimiza la velocidad, durabilidad y eficiencia energética, asegurando máximo rendimiento sin sobrecalentamiento.
🚀 Interfaz PCIe Gen 4 x4 con controlador Samsung Pascal: Este SSD M.2 2280 maximiza el rendimiento multitarea, ideal para PCs de alto rendimiento, estaciones de trabajo y consolas.
🔥 Máxima velocidad en operaciones aleatorias: Con hasta 1,550,000 IOPS en escritura 4K y 1,200,000 IOPS en lectura 4K, ofrece una experiencia fluida y sin interrupciones en cargas intensivas de datos.
🔋 Eficiencia energética optimizada: Su consumo en reposo es de solo 0.05W, mientras que en lectura/escritura alcanza 7.8W, garantizando bajo consumo energético sin comprometer la velocidad.
💪 Alta resistencia y durabilidad: Diseñado para 600 TBW de escritura y una vida útil de 1,500,000 horas MTBF, asegurando fiabilidad a largo plazo.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P1T0B/AM |
| Capacidad | 1TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,200,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad | 600 TBW |
| Controlador | Samsung Pascal |
| Consumo energético (Idle) | 0.05W |
| Consumo energético (R/W) | 7.8W |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Resistencia a impactos | 1,500G, 0.5ms |
Información del producto
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Envío y devoluciones
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Description
Sobre este producto
⚡ Rendimiento extremo con tecnología Samsung: El Samsung 990 PRO 1TB ofrece velocidades de lectura de hasta 7,450MB/s y escritura de hasta 6,900MB/s, proporcionando tiempos de carga ultrarrápidos en gaming, edición de video y aplicaciones profesionales.
💾 Arquitectura Samsung V-NAND 3-bit MLC: Su diseño innovador optimiza la velocidad, durabilidad y eficiencia energética, asegurando máximo rendimiento sin sobrecalentamiento.
🚀 Interfaz PCIe Gen 4 x4 con controlador Samsung Pascal: Este SSD M.2 2280 maximiza el rendimiento multitarea, ideal para PCs de alto rendimiento, estaciones de trabajo y consolas.
🔥 Máxima velocidad en operaciones aleatorias: Con hasta 1,550,000 IOPS en escritura 4K y 1,200,000 IOPS en lectura 4K, ofrece una experiencia fluida y sin interrupciones en cargas intensivas de datos.
🔋 Eficiencia energética optimizada: Su consumo en reposo es de solo 0.05W, mientras que en lectura/escritura alcanza 7.8W, garantizando bajo consumo energético sin comprometer la velocidad.
💪 Alta resistencia y durabilidad: Diseñado para 600 TBW de escritura y una vida útil de 1,500,000 horas MTBF, asegurando fiabilidad a largo plazo.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9P1T0B/AM |
| Capacidad | 1TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,450MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,900MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,200,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Durabilidad | 600 TBW |
| Controlador | Samsung Pascal |
| Consumo energético (Idle) | 0.05W |
| Consumo energético (R/W) | 7.8W |
| MTBF | 1,500,000 horas |
| Resistencia a impactos | 1,500G, 0.5ms |
