Disco Duro SSD Samsung 990 EVO Plus 2TB V NAND TLC PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2 NVMe M.2
Sobre este producto
🚀 Rendimiento extremo para gaming y trabajo profesional: El Samsung 990 EVO Plus 2TB alcanza velocidades de lectura de hasta 7,250MB/s y escritura de hasta 6,300MB/s, optimizando tiempos de carga, transferencia de archivos y ejecución de aplicaciones exigentes.
💾 Tecnología Samsung V-NAND TLC para máxima eficiencia: Su avanzada arquitectura garantiza mayor estabilidad, durabilidad y rendimiento sostenido, ideal para usuarios profesionales y gamers exigentes.
⚡ Interfaz PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2: Ofrece compatibilidad con plataformas de última generación, permitiendo un rendimiento óptimo en PCs, laptops y estaciones de trabajo.
🔋 Multitarea sin interrupciones: Con hasta 1,350,000 IOPS en escritura aleatoria 4K y 1,000,000 IOPS en lectura aleatoria 4K, brinda una ejecución fluida y eficiente de múltiples tareas simultáneamente.
💪 Durabilidad garantizada con 1,200 TBW: Diseñado para resistir cargas de trabajo intensivas, asegurando almacenamiento confiable y de alto rendimiento a largo plazo.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9S2T0B/AM |
| Capacidad | 2TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND TLC NAND |
| Controlador | Samsung |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,250MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,300MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,000,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,350,000 IOPS |
| Durabilidad | 1,200 TBW |
| Consumo energético (R/W) | 4.6W / 4.2W |
| Dimensiones del empaque | 9.90 cm x 2.29 cm x 9.90 cm |
Original: $763.99
-65%$763.99
$267.40Información del producto
Información del producto
Envío y devoluciones
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Description
Sobre este producto
🚀 Rendimiento extremo para gaming y trabajo profesional: El Samsung 990 EVO Plus 2TB alcanza velocidades de lectura de hasta 7,250MB/s y escritura de hasta 6,300MB/s, optimizando tiempos de carga, transferencia de archivos y ejecución de aplicaciones exigentes.
💾 Tecnología Samsung V-NAND TLC para máxima eficiencia: Su avanzada arquitectura garantiza mayor estabilidad, durabilidad y rendimiento sostenido, ideal para usuarios profesionales y gamers exigentes.
⚡ Interfaz PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2: Ofrece compatibilidad con plataformas de última generación, permitiendo un rendimiento óptimo en PCs, laptops y estaciones de trabajo.
🔋 Multitarea sin interrupciones: Con hasta 1,350,000 IOPS en escritura aleatoria 4K y 1,000,000 IOPS en lectura aleatoria 4K, brinda una ejecución fluida y eficiente de múltiples tareas simultáneamente.
💪 Durabilidad garantizada con 1,200 TBW: Diseñado para resistir cargas de trabajo intensivas, asegurando almacenamiento confiable y de alto rendimiento a largo plazo.
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9S2T0B/AM |
| Capacidad | 2TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x4 y PCIe Gen 5 x2 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Tipo de memoria | Samsung V-NAND TLC NAND |
| Controlador | Samsung |
| Velocidad de lectura | Hasta 7,250MB/s |
| Velocidad de escritura | Hasta 6,300MB/s |
| Lectura aleatoria 4K | Hasta 1,000,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K | Hasta 1,350,000 IOPS |
| Durabilidad | 1,200 TBW |
| Consumo energético (R/W) | 4.6W / 4.2W |
| Dimensiones del empaque | 9.90 cm x 2.29 cm x 9.90 cm |
